300KW SiC-MOSFET ਸਾਲਿਡ ਸਟੇਟ ਹਾਈ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਪਾਈਪ ਵੈਲਡਰ

300KW SiC-MOSFET ਸਾਲਿਡ ਸਟੇਟ ਹਾਈ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਪਾਈਪ ਵੈਲਡਰSiC mosfet ਨੂੰ ਗੋਦ ਲੈਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਦਬਾਅ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੈ।SiC mosfet ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਾਵਰ ਮੋਡੀਊਲ ਬੋਰਡਾਂ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਕਿਸਮ ਦੇ ਪਾਵਰ ਬੋਰਡਾਂ ਨੂੰ ਠੋਸ ਅਵਸਥਾ ਉੱਚ ਆਵਿਰਤੀ ਪਾਈਪ ਵੈਲਡਰ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਤਕਨੀਕੀ ਮਾਪਦੰਡ:

ਰੇਟਡ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਾਵਰ: 300kW

ਵੈਲਡਿੰਗ ਮੋਡ: ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਕਿਸਮ

ਦਰਜਾ ਪ੍ਰਾਪਤ DC ਵੋਲਟੇਜ: 240V

ਦਰਜਾ ਦਿੱਤਾ ਡੀਸੀ ਮੌਜੂਦਾ: 1500A

ਰੇਟ ਕੀਤੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ: 300KHZ

ਪੂਰੀ ਕੁਸ਼ਲਤਾ: η≥85%

ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ: 3-ਪੜਾਅ 380V/50Hz (ਉਪਕਰਨ 380V±5% ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ)

ਪਾਵਰ ਵੰਡ ਸਮਰੱਥਾ: ≥360kVA

ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਦਬਾਅ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: SiC ਪਾਵਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੀ ਰਚਨਾ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ300KW SiC-MOSFET ਸਾਲਿਡ ਸਟੇਟ ਹਾਈ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਪਾਈਪ ਵੈਲਡਰਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਨ ਵਿੱਚ ਵੀ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਢੰਗ ਨਾਲ ਕੰਮ ਕਰਨਾ। SiC ਕੋਲ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਲਈ ਇੱਕ ਬ੍ਰੇਕਡਾਊਨ ਫੀਲਡ ਤਾਕਤ ਹੈ ਜੋ Si ਤੋਂ ਦਸ ਗੁਣਾ ਵੱਧ ਹੈ, ਜੋ Si-ਅਧਾਰਿਤ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਡੋਪਿੰਗ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਅਤੇ ਪਤਲੀ ਡ੍ਰੀਫਟ ਲੇਅਰ ਫਿਲਮ ਮੋਟਾਈ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਵਾਲੇ ਉੱਚ-ਵੋਲਟੇਜ ਪਾਵਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦੀ ਹੈ।

ਉਪਕਰਨਾਂ ਦਾ ਛੋਟਾਕਰਨ ਅਤੇ ਹਲਕਾ ਡਿਜ਼ਾਈਨ: ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਯੰਤਰ300KW SiC-MOSFET ਸਾਲਿਡ ਸਟੇਟ ਹਾਈ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਪਾਈਪ ਵੈਲਡਰਉੱਤਮ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਘਣਤਾ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਤਾਪ ਭੰਗ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਨੂੰ ਸਰਲ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਛੋਟੇਕਰਨ ਅਤੇ ਹਲਕੇ ਨਿਰਮਾਣ ਦੀ ਸਹੂਲਤ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।

ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਘੱਟ ਊਰਜਾ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ: SiC ਯੰਤਰ ਸਿਲੀਕਾਨ-ਅਧਾਰਿਤ ਯੰਤਰਾਂ ਨਾਲੋਂ ਦਸ ਗੁਣਾ ਵੱਧ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਵਧਣ ਦੇ ਨਾਲ ਨੁਕਸਾਨ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦੇ ਹਨ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਊਰਜਾ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਵਿੱਚ ਲਗਭਗ 50% ਦੀ ਕਮੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਵਧੀ ਹੋਈ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਪੈਰੀਫਿਰਲ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇੰਡਕਟਰਾਂ ਅਤੇ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰਾਂ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਸਿਸਟਮ ਵਾਲੀਅਮ ਅਤੇ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਦੀ ਲਾਗਤ ਘੱਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਅਸੀਂ ਸਿਰਫ ਪੈਦਾ ਨਹੀਂ ਕਰਦੇ300KW SiC-MOSFET ਸਾਲਿਡ ਸਟੇਟ ਹਾਈ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਪਾਈਪ ਵੈਲਡਰ, ਪਰ ਇਹ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਮੰਦ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਹੀਟ ਟ੍ਰੀਟਮੈਂਟ ਉਪਕਰਣ ਅਤੇ ਕੁਝ ਹੱਲ ਵੀ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਜਾਣਕਾਰੀ ਲਈ ਸਲਾਹ ਕਰਨ ਲਈ ਸੁਆਗਤ ਹੈ!